郝跃，西安电子科技大学，发光二极管

在改进过的氮化铝(AlN)/石墨烯复合衬底上生长可转移GaN外延层。本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法进行理论计算，进一步研究了石墨烯上AlN的形成机理。AlN通过其最佳成核位点选择性地在石墨烯上生长，从而导致AlN通过准范德华外延在石墨烯上选择性成核。因此，利用金属有机化学气相沉积的时间分布和恒压生长方法，在石墨烯和GaN之间创新性地插入了AlN复合成核层。此外，通过克服石墨烯与外延…